반도체공부5 엔지닉 반도체 책으로 반도체 8대공정 뿌시고 당당히 취업하기 - 박막공정 박막공정의 '박막'이란? 1마이크로미터 이하의 얇은막을 의미한다. 얇은막을 증착하는(증착공정) 방법으로는 두가지가있다. (*증착공정: 웨이퍼위에 박막의 두께로 입혀 전기적인 특성을 갖게하는 과정을 일컫는다.) 물리적 기상증착방법(PVD)와 화학적 기상증착방법(CVD)가 있다. PVD: 금속박막의 증착에 주로 사용되며 화학반응이 아닌 물리적인 방법으로 증착하는 방법이다. 예) 스퍼터링법, 기화법, 전자 빔 기화법 CVD: 가스의 화학 반응으로 형성된 입자들을 외부 에너지가 부여된 수증기 형태로 쏘아서 증착시키는 방법이다. 금속인 도체뿐만 아니라 부도체나 반도체의 박막증착에도 모두 사용될 수 있는 기술이다. 예) APCVD, LPCVD, PECVD, HDPCVD, ALCVD LPCVD(저압 CVD), PEC.. 2021. 6. 22. [빡공 4일차] 엔지닉 반도체 책으로 반도체 공부하기! 반도체공정프로세스를 전반적으로 공부하기 1. 웨이퍼공정 :반도체칩들을 만들어내는 웨이퍼의 공정과정 먼저 실리콘 원료를 고순도 실리콘용액을 만들고 결정 성장시켜 응고시킨 실리콘 잉곳을 제조한다 -> 잉곳을 다이아몬드 톱으로 절단한다 -> 표면에 흠결이 있으면 회로의 정밀도에 영향을 주기때문에 연마액과 연마장비를 이용하여 웨이퍼 표면을 연마한다 2. 산화공정 :실리콘 기판위에 산화제와 열에너지(800도 이상의 고온)를 공급하여 이산화규소막(SIO2)를 형성하는 공정이다. 산화방법에는 열산화와 화학적 기상증착 산화 방식이 있으며 열산화방법이 보편적이다. 열산화방식 종류에는 습식산화와 건식산화가 있다 습식:반응이 빠르지만 산화막의 질이 좋지못하다. 건식:반응이 느리지만 산화막의 질이 좋다. 3. 포토공정 포토공.. 2021. 6. 17. [빡공 3일차] 엔지닉 반도체 책으로 반도체 공부하기! Nand flash memory란? 기존의 mosfet구조에서 floating gate와 Tunnel oxide를 추가한구조이다. 메모리소자로서, DRAM과 마찬가지로 데이터를 write(쓰거나, 지우거나)와 Read 기능을 수행한다. 데이터를 저장할때는 터널 산화막의 터널링을 통해 전자가 플로팅게이트에 채워지고, 데이터를 지울때는 플로팅게이트에 채워있던 전자들이 터널산화막을 통해 빠져나온다. 이렇게 전자가 터널산화막을 통과하기위해선 강력한 전계에의해서 채널에흐르던 전자를 집어넣고 빼내는 방식이다보니 Write동작의 횟수가 많아지면 터널산화막이 파괴되어 낸드플래시메모리는 DRAM과달리 수명의 제한이있다. 또한 DRAM과 마찬가지로 nand flash도 컨트롤러의 역할이 중요하다. 특히 nand는 read.. 2021. 6. 16. [빡공 2일차] 엔지닉 반도체 책으로 반도체 8대공정 뿌시기! 메모리 계층도에 대해서 SRAM과 DRAM과 NAND FLASH를 비교하였을때 SRAM이 단가가 제일 높으며, 휘발성메모리로 외부에서 전원이 공급되어야지만 데이터가 보존된다. SRAM은 총 6개의 mosfet으로 구성되어있다. (두개의 cmos인버터와 2개의 mosfet이 연결되어 1개의 cell을 이룬다) DRAM은 SRAM보다는 속도가 느리지만 용량이 더 크다. DRAM은 커패시터에 데이터가 저장되는 형태로 휘발성메모리이다. (주기적인 리프레시가 필요하다) 1개의 cell은 1개의 NMOS와 1개의 커패시터로 구성된다. 메모리기업에서 dram을 미세화시키고있으며, 그 이유는 웨이퍼당 많은 생산량을 내기위해서(원가절감을 위해서)이다. NAND FLASH는 스토리지 메모리로 보조기억장치용도에 주로쓴다. .. 2021. 6. 15. 이전 1 2 다음
