반도체 8대공정4 엔지닉 반도체 책으로 반도체 8대공정 뿌시기 - CMP공정 &세정공정 CMP(화학적 기계적 연마)공정 : 연마 대상 물질의 표면에 화학적 변화를 주어 기계적 연마용이하게 함으로써, 웨이퍼 상의 다양한 박막을 연마하여 웨이퍼 표면을 평탄화 하거나 제거하는 공정이다. CMP공정의 목적 ->반도체 소자의 고집적화, 반도체 소자의 고속화를 위해서이다. *반도체소자의 고집적화 (소자격리기술, 포토공정한계극복(DOF 여유도), 다층 배선화 *반도체 소자의 고속화 (Cu다마신 공정) CMP공정장비구조 -플래튼 :전체장비시스템의 지지대역할->웨이퍼 캐리어와 함께 연마 시 회전한다 -연마패드 :웨이퍼의 굴곡에 대응할 수 있는 부드럽고도 단단한 재료이다 -캐리어:웨이퍼가 장착되어 회전하는 장치로서 연마 시 수직으로 누르는 힘이 작용한다 -컨디셔너: 패드의 기공에 낀 가공 잔류물 등의 제거 .. 2021. 6. 25. 엔지닉 반도체 책으로 반도체 8대공정 뿌시기 -확산&이온주입공정 - 이온주입공정정의 반도체에 전도성을 부여하기위해 웨이퍼에 불순물을 주입하는 공정으로 이온주입 장비를 이용하여 입자를 가속시켜 웨이퍼에 주입하는 공정이다 - 이온주입공정과 확산 공정비교 확산공정은 자연적확산으로 웨이퍼에손상이적지만 고온공정이고, 농도와 접합깊이의 독립접 제어가 불가능하다. 그러나 이온주입공정은 정확한 도핑량과 깊이를 제어할 수 있다. 또한 농도와 접합깊이의 독립적 제어가 가능하여 고온공정이 필요없는 장점이며, 비 등방성이다. 하지만 이온주입공정은 이온주입이 손상되며 채널링현상발생하는 단점발생. (해결방안있음) - 이온주입장치 구성요소에 따른 정의 이온소스:플라즈마를 만들어 주입하고자 하는 이온을 생성하고 이온 빔을 추출한다. - 이온주입의 문제점 및 대책 1. 채널링 문제 (원치않은 공간.. 2021. 6. 24. 엔지닉 반도체 책으로 반도체 8대공정 금속배선공정 뿌시기! 금속배선정리 : 전기가 잘 통하는 금속을 이용하여 반도체의 회로패턴의 금속길을 내주는과정을 말한다. 증착방법에는 물리적기상증착방법(PVD)와 화학적기상증착방법(CVD)가 있다. PVD의 종류 진공증착->고진공 상태에 알루미늄 증착하여 부착 스퍼터링-> 플라즈마를 이용한 증착 CVD -> 균일하게 박막을 부착시키고 싶은경우에는 CVD를 주로 이용한다. 금속배선공정에 사용하는 금속물질 선정기준 1.웨이퍼와의 부착성이 높은성질 2.전기저항이 낮고 열적 &화학적으로 안정성이 높은물질 3.패턴형성의 용이한 물질 4.제조가격 (대량생한하는데 고가인물질을 이용하기는 어렵기에 제조가격도 고려해야한다) *실리사이드 공정 Self-aligned와 silicide의 합성어임 폴리사이드는 mosfet의 게이트에만 적용되는 데.. 2021. 6. 23. 엔지닉 반도체 책으로 반도체 8대공정 뿌시고 당당히 취업하기 - 식각공정 우선 식각공정이란 포토공정 후 필요한 회로패턴을 제외한 나머지 불필요한 부분을 제거하는 공정을 말한다. 이를 통해 반도체의 구조를 형성하는 패턴을 만든다. 식각공정은 웨이퍼에 액체 or 기체의 부식액(etchant)를 이용해 불필요한 부분을 선택적으로 제거한 후 반도체 회로패턴을 제작한다. 식각이 끝나면 포토레지스트를 제거한다. 식각공정으로는 건식 식각과 습식 식각으로 2가지 종류가있다. 건식식각은 etching 속도가 느리지만 이방성매칭으로 미세패턴 가공에 용이하다. 반면에 습식식가은 에칭속도는 빠르지만 등방성매칭으로 미세패턴가공에는 어렵다는 단점이있다. 건식식각이 비용도 비싸고 과정이 복잡하지만 미세 회로선폭의 반도체 기술변화에따라 수율을 높이는데 더 우수하기때문에 건식식각을 주로이용한다. 건식식각 .. 2021. 6. 21. 이전 1 다음
